內(nèi)置晶振、超小封裝、寬溫補(bǔ)償?shù)母呔葧r(shí)鐘IC－SD3077/3078/3031/3900

實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片(RTC)新選擇！

概述:

       SD3078是一種具有標(biāo)準(zhǔn)IIC接口的實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片,CPU可使用該接口通過(guò)7位地址尋址來(lái)讀寫(xiě)片內(nèi)122字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、電池電量寄存器、70字節(jié)的用戶(hù)SRAM寄存器及8字節(jié)的ID碼寄存器)。SD3078內(nèi)置晶振及數(shù)字溫度補(bǔ)償，用戶(hù)可以不用顧慮因外接晶振、諧振電容等所帶來(lái)的元件匹配誤差問(wèn)題、晶振溫度特性問(wèn)題及可靠性問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)在常溫及寬溫范圍內(nèi)不需用戶(hù)干預(yù)、全自動(dòng)、高可靠計(jì)時(shí)功能。SD3078內(nèi)置定時(shí)/報(bào)警中斷輸出腳和獨(dú)立的32K輸出腳,報(bào)警中斷時(shí)間最長(zhǎng)可設(shè)至100年。SD3078具有一個(gè)后備電池輸入腳VBAT，內(nèi)部的充電電路可對(duì)外接的充電電池進(jìn)行智能充電，也可對(duì)電池電量進(jìn)行檢測(cè)和欠壓報(bào)警指示。SD3078內(nèi)置8字節(jié)的ID，每一顆芯片具備唯一的身份識(shí)別碼。該芯片可滿(mǎn)足對(duì)高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的各種需要，是在選用實(shí)時(shí)時(shí)鐘IC時(shí)的理想選擇。

主要性能特點(diǎn)：

      > 低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。   

      >工作電壓：2.7V～5.5V，工作溫度為-40℃～+85℃。 

      >標(biāo)準(zhǔn)IIC總線(xiàn)接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

      >年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過(guò)獨(dú)立的地址訪(fǎng)問(wèn)各時(shí)間寄存器。

      >閏年自動(dòng)調(diào)整功能(從2000年～2099年)。

      >可選擇12/24小時(shí)制式.

      >內(nèi)置年、月、日、星期、時(shí)、分、秒共7字節(jié)的報(bào)警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報(bào)警允許寄存器，共有96種組合報(bào)警方式，并有單事件報(bào)警和周期性          報(bào)警兩種中斷輸出模式，報(bào)警時(shí)間最長(zhǎng)可設(shè)至100年。

      >周期性頻率中斷輸出:從4096Hz～1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖. 

      >自動(dòng)重置的三字節(jié)共24位的倒計(jì)時(shí)定時(shí)器,可選的4種時(shí)鐘源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘），最小定時(shí)為244us，最長(zhǎng)定時(shí)可到31年，通          過(guò)計(jì)算可獲得較精確的毫秒級(jí)定時(shí)值。

      >5種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有4個(gè)中斷標(biāo)志位.

      >內(nèi)置70字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲(chǔ)用戶(hù)的一般數(shù)據(jù)。

      >具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K，可以位允許/禁止32K輸出。

      >內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器，為了節(jié)省電池電量消耗，設(shè)為VDD模式下60S間隔測(cè)溫一次，電池模式600S間隔測(cè)溫一次。

      >內(nèi)置晶振和諧振電容，芯片內(nèi)部通過(guò)高精度補(bǔ)償方法，實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能，其中25℃精度<±3.8ppm（為出廠(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)，

        VDD=3.3V)。  

      >具有一次性或充電的后備電池輸入腳VBAT ，其內(nèi)部的3.3V穩(wěn)壓充電電路可選擇性地對(duì)外接的充電電池進(jìn)行自動(dòng)充電，內(nèi)置的充電限流電阻可            位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。

      >內(nèi)置電池電壓檢測(cè)功能，可讀取當(dāng)前電池電壓值(三位有效數(shù))，設(shè)置高低電池報(bào)警電壓值并從INT腳輸出中斷。

      >芯片依據(jù)不同的電壓自動(dòng)從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當(dāng)芯片檢測(cè)到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于VBAT,芯片會(huì)轉(zhuǎn)

        為由接在VBAT的后備電池供電；當(dāng)VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,則芯片會(huì)轉(zhuǎn)為由VDD供電。（內(nèi)置電源模式指示位PMF,VDD模式時(shí) 

        PMF=0，VBAT模式時(shí)PMF=1）。

      >內(nèi)置8字節(jié)的ID碼，芯片出廠(chǎng)之前設(shè)定的、全球唯一的身份識(shí)別碼。

      >內(nèi)置IIC總線(xiàn)0.5秒自動(dòng)復(fù)位功能(從Start命令開(kāi)始計(jì)時(shí))，該功能可以避免IIC總線(xiàn)掛死問(wèn)題。

      >內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫(xiě)保護(hù)位, 避免對(duì)數(shù)據(jù)的誤寫(xiě)操作，可更好地保護(hù)數(shù)據(jù)。

      >內(nèi)置軟件可控VBAT模式IIC總線(xiàn)通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允許IIC通信.上電默認(rèn)值

        BATIIC=0)，從而避免在電池供電時(shí)CPU對(duì)時(shí)鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在VDD上、下電的過(guò)程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控

        的雜波信號(hào)對(duì)時(shí)鐘芯片的誤寫(xiě)操作，進(jìn)一步提高時(shí)鐘芯片的可靠性。

      >內(nèi)置上電指示位RTCF，當(dāng)包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時(shí)該位置1。

      >內(nèi)置電池電壓欠壓指示位BLF，當(dāng)電池電壓低于2.2V時(shí)BLF位置1。

      >內(nèi)置停振檢測(cè)位OSF,當(dāng)內(nèi)部振蕩器停止振蕩時(shí)該位置1。      

      >芯片在興威帆的評(píng)估板上可通過(guò)4KV的群脈沖(EFT)干擾。

      >CMOS 工藝

      >封裝形式：SOP8（寬度208mil）,SD3031管腳兼容3231;SD3900 3225封裝。

管腳設(shè)置:

管腳說(shuō)明:

原理框圖:

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